图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 660mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 400µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 通道模式 | Depletion |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.66 A |
| RDS -于 | 1800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 5.1 ns |
| 典型上升时间 | 3.4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型下降时间 | 21 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 660mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 400µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 430pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSP149L6327INDKR |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.66 A |
| 系列 | BSP149 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1800 mOhms |
| 功率耗散 | 1800 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | BSP149L6327HTSA1 |
| 上升时间 | 3.4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.4 ns |
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